2SK3878 /TO-3P/Toshiba/ транзистор
Field-effect transistor, N-channel, 900V 9A 150W (Recommended replacement: TK9J90E)
Полевой транзистор, N-канальный, 900В, 9А, 150Вт
N-канальный полевой транзистор для приложений переключения.
• Низкое сопротивление во включенном состоянии на сток-исток
• Высокий уровень допуска прямой передачи
• Очень маленький ток утечки
• Режим обогащения
• Напряжение сток -затвор 900В
• Напряжение затвор - источник ±30В
• Тепловое сопротивление 0.833°C/Вт, переход к корпусу
• Тепловое сопротивление 50°C/Вт, переход к окружающей среде
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси 900В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. 9А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. ±30В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.3Ом при 4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. 150Вт
Крутизна характеристики 7S
Корпус TO-3P
Вес 4.6г
